产品系列晶体管图示仪
半导体分立器件测试筛选系统
静态参数测试(包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等)
动态参数测试(包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等)
环境老化测试(包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等)
热特性测试(包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等)
可测试 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件
ITC57300半导体分立器件动态参数测试系统
用于测试 Diode,IGBT,MOSFET动态交流参数
1200V/100A,短路电流2500A
概述:
ITC57300动态参数的测试系统主机能够运行无损的瞬时测量半导体器件测试设备,例如,IGBT,MOS场效应管,二极管和其他双极性的器件。被包含在主机里的所有测试设备和软件必须满足分析和运行电阻和由电感应引起的开关时间,开关损耗,栅极充电,Trr/Qrr和其它的瞬时测试。
测试目录下,对主机里的特别的测试目录下的接收器,有计划的为一个具体的短暂类型。当测试目录下仅仅一个特殊的测试有计划的运行 ,在主机内部重新安装特殊的设备,设备箱和各类设备环线。
性能:
功率源:1200V、100A(可扩展至1000A)
时间分辨率:*小1nS
消耗涌流限度监控
测试功能单元:
C57210-R | 开关特性测试单元(阻性负载) | 美军标750,方法为3472 |
ITC57220 | 反向恢复特性测试单元 | 美军标750,方法3473 |
ITC57230 | 栅电荷特性测试单元(MOS) | 美军标750,方法3471 |
ITC57240 | 开关特性测试单元(感性负载) | 美军标750,方法3477 |
ITC57250 | 短路特性测试单元 | 美军标750,方法3479 |
系统特征:
- 测试单元灵活更换
- 不同参数的自动测试
- 防震工业电脑PC
- *简便的微软驱动菜单
- 输出测试程序非正式
- 电子测试表格兼容测试日期
- 负载电感可调
- GPIB程序测试设备
- 四沟道高带宽的数字示波器
- 脉冲发生器
- 1200V供应能力
- 安全特征:
- 测试主要高电压连结
- 接受高电压连结
- 高速漏流供应开关
测试单元介绍
ITC57300 | 分离式半导体的动态参数测试系统 |
ITC57230 栅电荷单元 | 栅极电荷对美规格为750,方法为3471的场效应管电力装置的测试能力由ITC57230闸极电荷测试头进行检测。 电压适用于该场效应管的闸门,且当闸门打开时,恒定电流、高阻抗负载将与其漏极相连。 漏极电流将达到用户指定水平,而通过嵌入可程控的恒定电流(或得到一个P信道的装置),电荷将从被测装置的闸门移除。闸门电压会受到监测,而曲线下各部分区域可用来计算电压。 |
ITC57210 开关特性单元 | 这一测试头检验了美规格为750、方法为3472的场效应管中N信道和P信道的转换时间(MOSFET全称为金属氧化物半导体场效应晶体管)。测量参数分别为:开通延时[td(on)],上升时间(tr),关断延时[td(off)],下降时间(tf)。 |
ITC57220 反向恢复特性单元 | ITC57220型号的测试头可对美规格为750、方法为3473的装置进行恢复时间/恢复电荷的测试。首先,电流在驱动电路感应器中增加。当达到规定电流后,切断电流,感应器中的电流将流经被测装置中的二极管。一段时间之后,再次打开驱动器,二极管将得到反向恢复。由此可得到合成波形,且可用来对反向恢复峰值电流、储存电流和恢复时间等相关数据进行分析。 |
ITC57240 感应转换时间 | ITC57240型号的测试头可对美规格为750、方法为3473 的装置进行感应转换时间测试。 驱动器IGBT(绝缘栅双极晶体管)增强了感应器中的测试电流。当驱动器关闭时,电流将流入稳压管中。这时,打开并关闭被测装置,便可开始进行转换时间和转换能量的测试。在转换过程中,无需任何来自续流二极管的反向恢复元件,被测装置中的测试电流便可流入感应器,而电压可通过稳压管。 |
ITC57250 短路特性 | ITC57250型号的测试头可对美规格为750、方法为3479的装置进行短路承受时间测试。 在一些电路中,如电机驱动,其半导体装置必须在短时间内承受住短路的情况。这一测试可以检测一个装置的承受时间。其中的电流将取决于该装置的增益和应用驱动的脉宽。 |