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上海那艾精密专注以实验仪器设计、研发,生产,销售为核心的仪器企业,目前热卖销售有集菌仪,无菌均质器,固相萃取仪,氮吹仪,脂肪测定仪,干式恒温器,消化炉,光化学反应仪,实验室微波炉等等。
产品说明 Product description
集菌仪使用方法NAI-JJY-Z是一次性使用全封闭集菌培养器的配套使用设施。一体化不锈钢机壳设计:三联集菌仪使用方法,全封闭集菌培养器-那艾仪器全部采用L304卫生级不锈钢,解决了无菌室. 微生物室高洁净仪器的要求。
提高仪器的使用寿命,降低因传统集菌仪表面生锈问题造成的维修、更换等产生的成本。避免了因为化学物质对表面的腐蚀,机壳表面设计不留任何死角。
通过智能集菌仪定向蠕动加压原理,使供试品中微生物截留在滤器中的微孔滤膜(0.22µm*47mm或0.45µm*47mm上,通过冲洗滤膜除去YJ成分,然后把所需的培养基通过进样管道直接引入全封闭过滤集菌培养器中,放置在培养箱内进行无菌培养。
应用范围 Application range
1、 制药行业:纯化水、注射用水、无菌制剂(大输液、小针剂、粉剂、生物制品、血液制品、眼用制剂、保养液等)的无菌检查和微生物限度检查;
2、 器械行业:纯化水、注射用水、注射器、输液器、输血器、静脉导管等的无菌检查和微生物限度检查;
3、 食品、饮料行业;
4、 环保行业等。
主要特征 Principal character
1、全封闭集菌培养器新型泵头:过滤更顺畅,更均匀,更安全。
2、固定档位设计:设有“40R”“ 60 R”“ 160R”“ 240R” 四大档 位,可以满足大输液、粉针、水针等各种剂量供试品的过滤需求。
3、分体式的排液槽设计:可以自由移动,方便操作人员的操作习惯。槽内为弧形设计,废液不会残留在槽内,解决了长期实验后可能会产出的细菌。
4、瓶形支架设计:解决了传统的大瓶支架、小瓶支架更换带来的麻烦 和操作过程中供试品掉下来的风险。瓶形支架将供试品牢牢固定在支架上,即安全,又美观。
5、智能集菌仪圆形卡口设计:传统式直角卡口在装软管的时候都是很费劲的,有时候还会把管子卡破,造成了经济上的损失,现在圆形卡口,可以轻轻一卡,软管就可以进去,非常方便。
6、一体化开关设计:避免在机壳上开过多的孔,使机壳的清洁度更高,更人性化。
7、三联集菌仪使用方法,全封闭集菌培养器-那艾仪器扳手根据人体力学设计而成,可以轻松将皮管卡牢。
8、增设脚踏开关,更便于实验操作。
技术参数 Technical parameter
1、型 号 :NAI-JJY-Z
2、电 源 :AC 220V(±10%),50Hz(±2%)
3、功 率 : 120W
4、转 速 : 0~240±5rpm
5、悬架总高度:35cm
6、机壳材料:L304不锈钢材料
7、外形尺寸:42*26*12cm
8、重 量:15kg
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使熔融和再结晶仅在这个小熔区 392第十一章 现代化学应用讲座 内进行。然后使熔区缓缓移动,从晶锭的一 端移到另一端。由于杂质在固相和液相中的 溶解度不同,因而在熔区内硅熔融和再结晶 的过程中,原来硅锭中的杂质就会在固液两 相间进行再分配。杂质在液态硅中的溶解度 通常大于其在固态硅中的溶解度,因而当硅 锭在熔区内熔融后重新结晶析出时,大部分 杂质将留在熔融硅液中,这就使重新结晶析 出的硅比原先含有较少的杂质。当熔区从硅 锭的一端移动到另一端,就可使整个锭中的 杂质相对集中到锭的尾端。按同一方向重复 操作若干遍,并截去尾端,剩下的硅锭将比初 始时的硅棒更纯。这种区熔方法本是一种物图114 无坩埚区域熔炼示意图 理提纯方法,人
们应用它来制备高纯硅,并设 法使熔区的熔体再结晶时,也按籽晶的晶向结晶,则可使提纯与生长单晶同时完 成。这就是区熔法制备单晶硅的基本原理。区熔法制备单晶是在区熔单晶炉中 进行的。在区熔单晶炉中制备单晶硅不需要坩埚,这也是和直拉法不同的地方。 多晶硅棒垂直安放,用上下夹头固定。在真空或惰性气氛中用高频加圈加 热,在硅棒上造成一个或数个很窄扁的熔区,这时主要靠熔融硅的表面张力维持 这个极薄的熔区不倒塌,如图1 114所示。使加圈或硅棒上下徐徐移动,使 熔区从硅棒一端移到另一端,并按同方向重复若干次,即可制得区熔单晶硅。这 种方法称为无坩埚区域提纯法,或悬浮区提纯法。其特点是硅熔区完全不和其 它物质接触,因此不受容器玷污。 4.硅外延片的生产 由直拉法或区熔法制得的单晶硅棒还不能直接用来制作微电子元器件或集 成电路板,而必须先制成硅外延片。所谓硅外延片是由硅单晶薄片作为衬底材 料,即基
片,然后利用气相法生长单晶的技术,用氢气还原SiCl或SiHCl直接 43 在基片表面生长一层硅单晶得到的。在单晶硅片上沉积生长的一层具同一结晶 排列的硅单晶薄层,相当于以基片为晶核,把基片的晶面沿结晶方向向外延伸 了,因而把新生成的单晶硅薄层成为外延层。经外延生长后的单晶硅片称为硅 外延片。制作硅外延片的过程称为外延。 为了生产硅外延片,首先必须制得合格的硅单晶基片。先按一定的晶面方 向平行地切割单晶硅棒,得到指定厚度的硅单晶薄片,这一步称为切片。得到的 硅片还要进行机械研磨,使切割表面平整,这一步称为磨片。经切割、研磨后的 表面会留下几微米到几十微米厚的机械损伤层,损害单晶的性质,需用化学腐蚀 第二讲 光刻技术和光致抗蚀剂393 法蚀去表面层,造成一个平整光洁的表面,这步称为抛光。经过切片、磨片、抛光 的硅单晶片才可以作为生产外延片的基片。将这种基片装入外延炉中(见图 115),通入H还原SiCl,即可实行外延。一般控制外延层的厚度为10μm 24 左右。因为拉单晶时是掺了杂的,因而基片的电阻率较低。而在其表面生长的 外延层是未经掺杂的硅单晶层,故电阻率较高。在这种外延片上再经氧化、光 刻、磷扩散、硼扩散等工序,就能做成硅平面管。高电阻率的