价格电议
KRI 考夫曼离子源 KDC 10
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 10: 考夫曼型离子源 Gridded 系列最小型号的离子源. 适用于集成在小型的真空设备中, 例如预清洗, 离子溅射, 离子蚀刻. 在 <1000eV 低能量, 通 Ar 氩气时离子蚀刻的能力显著提高.KDC 10 离子源低损伤, 宽束设计, 低成本等优点广泛应用在显微镜领域, 标准配置下 KDC 10 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 10mA.
KRI 考夫曼离子源 KDC 10 技术参数
型号 | KDC 10 |
供电 | DC magnetic confinement |
- 阴极灯丝 | 1 |
- 阳极电压 | 0-100V DC |
- 栅极直径 | 1cm |
中和器 | 灯丝 |
电源控制 | KSC 1202 |
配置 | - |
- 阴极中和器 | Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000 |
- 架构 | 移动或快速法兰 |
- 高度 | 4.5' |
- 直径 | 1.52' |
- 离子束 | 集中 平行 散设 |
-加工材料 | 金属 电介质 半导体 |
-工艺气体 | 惰性 活性 混合 |
-安装距离 | 2-12” |
- 自动控制 | 控制4种气体 |
KRI 考夫曼离子源 KDC 10 应用领域
离子清洗, 显微镜抛光 IBP
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜) IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列, 栅极灯丝型离子源, 通过加热灯丝产生电子, 提供低电流高能量离子束. 离子束可选聚焦,平行, 散设三种方式, KDC 系列离子源适用于离子溅镀和蒸发镀膜 PC, 辅助镀膜 ( 光学镀膜 ) IBAD, 表面改性, 激活 SM, 离子溅射沉积和多层结构 IBSD, 离子蚀刻 IBE 等.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) ZG总代理.