扩散硅/单晶硅压力变送器

过程压力通过导压介质，作用在感压膜片一侧，同时参考端的压力作用在膜片的另一端，在膜片两端加上的差压产生一应力场，它使膜片的一侧压缩，在压缩区和拉伸区分别有两个应变电阻片，这四个电阻组成一个全动态惠斯登电桥。当用恒流给电桥供电时，电桥输出端就会有和压力成正比的电压信号输出，该信号经过专用集成电路处理即可输出4～20mADC的标准信号。

SD900-1型扩散硅压力变送器

1、被测介质：液体、气体、蒸汽

2、测量范围：见表一

3、精度：±0.1%F·S；±0.25%F·S；±0.5%F·S；

4、输出：两线制4～20Madc图一

5、供电电源：24VDC（在满足负载要求下可工作于12～36V之间）

6、介质温度：-40℃～70℃

7、环境温度：-40℃～70℃

8、过压极限：量程的1.5倍

9、防爆等级：本安型ExiaIICT5；隔爆型ExdIIBT4

10、外壳防护等级：IP65

11、稳定性：±0.1%F·S/年

12、负载：Rmax=（Us-12）/0.02Ω，其中Us为供电电压值，单位为伏

13、隔离膜片：316L不锈钢、哈氏合金、钽、白金

14、压力接口材料：316L不锈钢

15、重量：无现场指示型：0.7kg

有现场指示型：1kg

SD900-2型单晶硅压力变送器

1、被测介质：液体、气体、蒸汽

2、测量范围：

正相对压力：Z小测量范围0～500Pa

测量范围：0～30MPa

负相对压力：Z小测量范围：-500～500Pa

测量范围：-100KPa～7MPa

3、精度：±0.1%F·S、±0.25%F·S、0.5%F·S

4、输出：两线制4～20mADC

5、供电电源：24VDC±50%

6、介质温度：-30℃～90℃

7、环境温度：-30℃～70℃

8、过压极限：量程的100倍

9、防爆等级：本安型ExiaIICT5；隔爆型ExdIIBT4

10、外壳防护等级：IP65

11、稳定性：±0.1%F·S/年

12、负载：R=（Us-12）/0.02Ω，其中Us为供电电压值，单位为伏

13、隔离膜片：陶瓷

14、压力接口材料：316L不锈钢

15、重量：无现场指示型：1.0kg

有现场指示型：1.3kg

表一测量范围及精度等级