PICOSUN™ R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术,并在各种各样的衬底上都表现的均匀性,包括Z具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高级的,易更换的前驱源系统,能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度Z小的薄膜层。在Z基本的PICOSUN™ R系列配置中可以选择多个独立的,完全分离的源入口匹配多种类型的前驱源。PICOSUN™ R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN™ P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN™反应腔室核心设计特点都是相同的,这消除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中,就会吸引到企业投资。
技术指标:
衬底尺寸和类型
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50 – 200 mm /单片
156 mm x 156 mm 太阳能硅片
3D 复杂表面衬底
粉末与颗粒
多孔,通孔,高深宽比(HAR)样品
Roll-to-roll , 衬底宽 70 mm
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工艺温度
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50 – 500 °C, 可选更高温度
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基片传送选件
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气动升降(手动装载)
预真空室安装磁力操作机械手(Load lock )
半自动装载,用PICOPLATFORM™200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载(cassette-to-cassette),用PICOPLATFORM™200集群系统实现
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前驱体
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液态、固态、气态、臭氧源、等离子体(Z多4路气体)
6根独立源管线,Z多加载12个前驱体源(加上Plasma管路,共7根独立源管线)
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重量
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350kg+ 200 kg
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尺寸( W x H x D))
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取决于选件
Z小146 cm x 146 cm x 84 cm
189 cm x 206 cm x 111 cm
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选件
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集群工具,PICOFLOW™ 扩散增强器,集成椭偏仪,QCM,RGA,超高真空兼容,N2发生器,尾
气处理器,定制设计,手套箱集成(用于惰性气体下装载)
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验收标准
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标准设备验收标准为 Al2O3 工艺
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应用领域:
客户使用PICOSUN™ R系列ALD 设备在150mm和200mm(6“和8”)晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。
材料 |
非均匀性(1σ) |
AI2O3 (batch) |
0.13 % |
SiO2 (batch) |
0.77 % |
TiO2 |
0.28 % |
HfO2 |
0.47 % |
ZnO |
0.94 % |
Ta2O5 |
1.0 % |
TiN |
1.10 % |
CeO2 |
1.52 % |
Pt |
3.41 % |