产品大概介绍:
PVD 公司溅射系统内部图,有 5 个 Titan 共焦磁控管,磁控管上装有倾斜的气动快门。 PVD 公司提供多种高质量的磁控溅射沉积系统以满足客户的薄膜沉积需求。我们的系统 采用 PVD 公司的模块化磁阵列 Titan 磁控溅射源。系统配备完整的泵站、真空测量仪、配电 箱、框架、电子货架、水和空气歧管、安全互锁等。系统可手动操作也可由计算机控制。基 片旋转式平台上的加热器可将温度加热至 950℃,在某些应用中温度可以更高。平台也有冷 却装置。加热器和操纵器可以根据非标准的基片形状和尺寸而设计。系统可以按照向上溅射、 向下溅射、侧面溅射或正常入射的方式排列磁控溅射源。系统可选件包括可倾斜的磁控管、 射频偏压、多电源和直流溅射、射频溅射和二者转换溅射、真空进样室、石英晶体速率监视 器、具有数据采集功能的全自动电脑控制、各种计量工具,如反射式高能电子衍射、椭圆测 量术、原位应力测量等。我们可以提供标准的系统,也可以提供根据您的应用完全定制的系 统。
产品配置:
真空进样室磁控溅射系统,晶圆直径 100mm。该系统包括 3 个 3 英寸的倾斜 Titan 磁控 管、超真空、3 个袖珍电子束蒸发器、射频偏压基片加热器(可加热至 850℃、基准压力小 于 5×10-9 Torr)。同时还包括一套有残余气体分析、反射式高能电子衍射和原位椭圆测量术 的度量衡。 直径 150mm 晶圆均匀性±1.5% 使用 3 英寸 Titan 磁控溅射源的 150mm 直径晶圆薄膜厚度均匀性。靶材是钨,250 瓦直 流溅射,氩气压力 5mTorr。用一个四点探针在晶圆上两个正交的方向采集了 27 个数据点。 除晶圆边缘 3mm 范围外,其余地方的薄膜均匀性优于±2%。
产品配件:
下向溅射箱式真空室,包括 4 个 2 英寸 Titan 磁控管、1 个 100mm 射频偏压加热器(可 加热至 850℃)、真空进样室和计算机控制系统。 用于低能量薄膜生长的双头对向靶磁控管,包括计算机控制的多层薄膜生长机动旋转台。 直径 100mm 晶圆和 64 个 4×4mm 试验衬垫,每个衬垫成分都不相同,采用我们的组 合溅射系统生长薄膜。
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